2010年刚到来，中道封装技术开始受到关注。不久之后，众多前沿技术被投入市场应用，封装质量有了明显进步。这种变化在芯片行业引起了不小的波动。

中道封装技术兴起

自2010年，中道封装技术应运而生。晶圆级封装与硅通孔技术等步入产业化。这些技术的问世具有深远影响，显著提升了芯片封装的效率。以WLP技术为例，它能在晶圆上直接完成封装，极大缩短了生产周期，提高了生产效率。

TSV技术在高端芯片封装领域表现出色。目前，众多CPU、GPU以及存储设备已开始采用这项技术。该技术突破了传统封装的限制，实现了芯片间的垂直连接，进而显著增强了芯片的性能。

英特尔EMIB技术

2014年，英特尔发布了名为EMIB的一种新型2.5D芯片封装技术。该技术被认为是一种成本更低的2.5D封装替代品。与传统的2.5D封装不同，它不是使用硅中介层，而是在芯片边缘各自嵌入了一小片硅。这小块硅起到了连接的作用。

这种设计上的优化减少了费用，并且保证了出色的性能。在实际使用中，它提升了不同芯片间的交流速度，为电脑、手机等电子产品带来了更佳的芯片选择。

Foveros技术突破

Foveros有望实现技术上的重大突破。它能让芯片堆叠技术从传统的无源中间层和存储芯片，拓展至CPU、GPU以及人工智能处理器等高性能逻辑芯片。这种产品可拆分为更小的“芯片组合”。在这些组合中，I/O、SRAM和电源传输电路都集成在基础晶片上。而高性能逻辑的“芯片组合”则堆叠在上方。

芯片设计现在变得更为灵活多样，能够根据实际需求挑选恰当的芯片型号。它采用了3D堆栈的SiP封装技术，成功将不同种类的芯片整合在一起。从这个角度看，在摩尔定律的发展后期，SiP技术将发挥极其重要的作用。

扇出封装技术优势

在对比扇入封装技术时，扇出封装技术明显更胜一筹。它不对芯片的I/O数量和封装尺寸设限，同时也能满足多芯片系统封装的需求。这种技术能够将功能各异的芯片合并，构成一个完整的系统，从而显著减少所需空间。

这种封装技术有其独到之处，因而广泛用于各类产品中。比如在可穿戴设备领域，即便空间受限，它也能有效整合多种芯片，确保设备功能的实现。

InFO技术应用

苹果的A10、A11、A12芯片及存储器的PoP封装采用了InFO技术，这项技术革新激发了大家对Fan-Out技术的浓厚兴趣。此外，InFO技术还拓宽了WL-FO技术的应用范围，为芯片封装行业带来了新的发展活力。

台积电对InFO技术进行了优化升级，特别研发了InFO-oS方案，以适应高性能计算的需求。同时，还推出了InFO-MS方案，用于满足服务器和存储器的封装需求，以及InFO-AiP封装，针对5G通信天线。通过这些方案，各行业对芯片封装的多样化需求得到了有效满足。

封装技术未来展望

技术发展持续进步，预计在未来的某个时刻，中道封装技术将催生更多新发明。届时，我们或许能看到更加高效、更具有适应性的封装技术，它们将满足各类新型芯片的特定需求。

封装技术的提升极大地促进了电子产品的发展，使得我们的设备在性能上更为卓越且体积更小巧。展望未来，中道封装技术将为芯片产业带来哪些令人惊喜的变革？欢迎点赞并分享这篇文章，在评论区和大家交流你的观点。